随着技术的发展，今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，下一代将在2020年进入5nm工艺，2022年进入3nm工艺

在集成电路制造过程中，光刻是非常重要的一环，它决定了芯片的最小特征尺寸，而光刻胶是光刻工艺得以顺利实现的关键材料。在国内大力发展集成电路产业的大背景下，国产光刻胶如何满足国内产线的需求;在国际大厂纷纷布局EUV光刻胶的节点上，国内光刻胶产品如何向高端迈进，成为集成电路材料业亟须破解的难题。

2019年上半DRAM价格下跌压力沉重，尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升，预料将有望支撑跌价趋缓，为了提高生产效益及拉大竞争差距，DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。

台积电近日宣布，已经开始了7nm+ EUV工艺的大规模量产，这是该公司乃至整个半导体产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。作为EUV设备唯一提供商，市场预估荷兰ASML公司籍此EUV设备年增长率将超过66%。这个目标是否能实现?EUV工艺在发展过程中面临哪些挑战?产业化进程中需要突破哪些瓶颈?

延续7奈米制程领先优势，台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7奈米加强版(7+)制程将按既定时程于3月底正式量产，而全程采用EUV技术的5奈米制程也将在2019年第2季进入风险试产。

在经历过14/16nm制程节点的激烈竞争之后，诸如格罗方德(Global Foundries)以及联电(UMC)都纷纷退出更先进制程的发展，而目前晶圆代工厂中也仅有台积电和三星仍持续推进节点技术，另外，英特尔(Intel)在2019年也终于要推出与台积电7nm技术同级的10nm制程，然而要普及到英特尔所有产品线仍要等到2020年左右。

台积电、英特尔和三星为打造体积更小、效能更强的处理器，纷纷导入极紫外光（EUV）技术，相关设备所费不赀，3家大厂资本支出直线攀升，ASML等设备厂则成为受益者。

就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。

全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻（EUV）技术的两项重磅突破。

ASML公司日前发布2018年Q3季度财报，当季营收27.8亿欧元，净利润6.8亿欧元，出货了5台EUV光刻机，全年预计出货18台，明年将增长到30台，而且明年下半年会推出新一代的NXE:3400C型光刻机，生产能力从现在的每小时125晶圆提升到155片晶圆以上，意味着产能提升24%。

继联电在2017年进行高阶主管大改组，并宣布未来经营策略将着重在成熟制程之后，格芯也在新执行长Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布无限期暂缓7nm制程研发，并将资源转而投入在相对成熟的制程服务上。

据国外媒体报道，IBM宣布在芯片工艺上取得了一项重大突破，这家公司已经成功研制出了7nm芯片样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材料以及极紫外(EUV)光刻技术。根据最新的消息，这项技术由IBM、Global Foundries、三星和纽约州立大学理工学院纳米工程系联手完成，一共投资了...